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納秒SOI光電探測器芯片，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

高速SOI光電探測器芯片，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

SOI納秒光開關芯片該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應實現(xiàn)納秒級高速響應的光路切換，實現(xiàn)了多通道光開關陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅動電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅動，偏振相關性小，插入損耗低

SOI芯片可調(diào)光濾波器隔離度可調(diào)該產(chǎn)品基于硅基熱調(diào)諧微環(huán)結構，光濾波器的中心波長和隔離度可調(diào)，實現(xiàn)了多通道光濾波器的單片集成，通過特殊設計實現(xiàn)了偏振無關特性，光電封裝，數(shù)字化驅動。

單片集成 7bit 可調(diào)光延時器芯片高速切換將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產(chǎn)

SOI芯片式高速光開關?高集成度芯片化，該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應實現(xiàn)納秒級高速響應的光路切換，實現(xiàn)了多通道光開關陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅動電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅動，偏振相關性小，插入損耗低

高速SOI芯片光電探測器陣列，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

SOI芯片式高速光衰減器基于硅基載流子色散效應實現(xiàn)高速響應的可調(diào)光路衰減，實現(xiàn)多通道VOA器件單片化集成，芯片與多通道光纖陣列和外圍驅動電路一體化光電封裝，數(shù)字化驅動，偏振相關性小，衰減范圍大，調(diào)節(jié)精度高，衰減值穩(wěn)定，響應時間為納秒級，可在高速、低時延系統(tǒng)中應用。